V posledných rokoch, s neustálym prenikaním následných aplikácií, ako sú nové energetické vozidlá, fotovoltaická výroba energie a skladovanie energie, zohráva SiC ako nový polovodičový materiál dôležitú úlohu v týchto oblastiach. Podľa správy o trhu s výkonovými SiC od spoločnosti Yole Intelligence, ktorá bola zverejnená v roku 2023, sa predpokladá, že do roku 2028 dosiahne globálna veľkosť trhu s výkonovými SiC zariadeniami takmer 9 miliárd dolárov, čo predstavuje nárast približne o 31 % v porovnaní s rokom 2022. Celková veľkosť trhu s polovodičmi SiC vykazuje stabilný trend rastu.
Spomedzi mnohých trhových aplikácií dominujú vozidlá na novú energiu so 70 % podielom na trhu. Čína sa v súčasnosti stala najväčším svetovým výrobcom, spotrebiteľom a vývozcom vozidiel na novú energiu. Podľa „Nikkei Asian Review“ v roku 2023 čínsky vývoz automobilov prvýkrát prekonal japonský, a to vďaka vozidlám na novú energiu, čím sa Čína stala najväčším svetovým vývozcom automobilov.
Vzhľadom na prudko rastúci dopyt na trhu sa čínsky priemysel SiC otvára kľúčová rozvojová príležitosť.
Od zverejnenia „Trinásteho päťročného plánu“ pre národné vedecko-technologické inovácie Štátnou radou v júli 2016 sa vývoju polovodičových čipov tretej generácie venovala veľká pozornosť vlády a v rôznych regiónoch sa mu dostalo pozitívnych reakcií a rozsiahlej podpory. Do augusta 2021 ministerstvo priemyslu a informačných technológií (MIIT) ďalej zaradilo polovodiče tretej generácie do „Štrnásteho päťročného plánu“ pre rozvoj priemyselnej vedy a technologických inovácií, čím sa ďalším impulzom pre rast domáceho trhu s SiC dodal rast domáceho trhu.
Vďaka dopytu na trhu aj politike sa domáce projekty v priemysle SiC rýchlo objavujú ako huby po daždi a predstavujú situáciu rozsiahleho rozvoja. Podľa našich neúplných štatistík boli stavebné projekty súvisiace s SiC doteraz realizované v najmenej 17 mestách. Medzi nimi sa regióny Jiangsu, Šanghaj, Shandong, Zhejiang, Guangdong, Hunan, Fujian a ďalšie stali dôležitými centrami rozvoja priemyslu SiC. Najmä s novým projektom ReTopTech, ktorý bol uvedený do výroby, sa ďalej posilní celý domáci reťazec polovodičového priemyslu tretej generácie, najmä v Guangdongu.
Ďalším rozložením pre ReTopTech je 8-palcový SiC substrát. Hoci 6-palcové SiC substráty v súčasnosti dominujú na trhu, trend vývoja odvetvia sa postupne posúva smerom k 8-palcovým substrátom z dôvodu znižovania nákladov. Podľa predpovedí GTAT sa očakáva, že náklady na 8-palcové substráty sa znížia o 20 % až 35 % v porovnaní so 6-palcovými substrátmi. V súčasnosti známi výrobcovia SiC, ako napríklad Wolfspeed, ST, Coherent, Soitec, Sanan, Taike Tianrun a Xilinx Integration, domáci aj medzinárodní, začali postupne prechádzať na 8-palcové substráty.
V tejto súvislosti plánuje spoločnosť ReTopTech v budúcnosti zriadiť výskumné a vývojové centrum pre technológiu rastu veľkých kryštálov a epitaxiu. Spoločnosť bude spolupracovať s kľúčovými miestnymi laboratóriami s cieľom nadviazať spoluprácu v oblasti zdieľania prístrojov a zariadení a výskumu materiálov. Okrem toho spoločnosť ReTopTech plánuje posilniť inovačnú spoluprácu v oblasti technológie spracovania kryštálov s hlavnými výrobcami zariadení a zapojiť sa do spoločných inovácií s poprednými podnikmi v oblasti výskumu a vývoja automobilových zariadení a modulov. Cieľom týchto opatrení je zvýšiť úroveň čínskeho výskumu, vývoja a industrializácie výrobných technológií v oblasti 8-palcových substrátových platforiem.
Polovodičová oblasť tretej generácie, ktorej hlavným zástupcom je SiC, je všeobecne uznávaná ako jedna z najsľubnejších podoblastí v rámci celého polovodičového priemyslu. Čína má v polovodičovej oblasti tretej generácie výhodu v celom priemyselnom reťazci, ktorý zahŕňa zariadenia, materiály, výrobu a aplikácie, s potenciálom vytvoriť si globálnu konkurencieschopnosť.
Čas uverejnenia: 8. apríla 2024