2-palcové doštičky z karbidu kremíka 6H alebo 4H typu N alebo poloizolačné SiC substráty

4H SiC doska typu N
Priemer: 2 palce 50,8 mm | 4 palce 100 mm | 6 palcov 150 mm
Orientácia: mimo osi 4,0˚ smerom k <1120> ± 0,5˚
Odpor: < 0,1 ohm.cm
Drsnosť: Si-face CMP Ra <0,5 nm, C-face optický lesk Ra <1 nm

4H SiC doska Poloizolačná
Priemer: 2 palce 50,8 mm | 4 palce 100 mm | 6 palcov 150 mm
Orientácia: na osi {0001} ± 0,25˚
Odpor: >1E5 ohm.cm
Drsnosť: Si-face CMP Ra <0,5 nm, C-face optický lesk Ra <1 nm

1. 5G infraštruktúra -- napájanie komunikácie.
Komunikačný zdroj je energetickou základňou pre komunikáciu servera a základňovej stanice. Poskytuje elektrickú energiu pre rôzne prenosové zariadenia na zabezpečenie normálnej prevádzky komunikačného systému.

2. Nabíjacia hromada nových energetických vozidiel -- výkonový modul nabíjacej hromady.
Vysoká účinnosť a vysoký výkon napájacieho modulu nabíjacej hromady sa dá dosiahnuť použitím karbidu kremíka v napájacom module nabíjacej hromady, aby sa zlepšila rýchlosť nabíjania a znížili sa náklady na nabíjanie.

3. Veľké dátové centrum, priemyselný internet -- napájanie servera.
Napájací zdroj servera je energetická knižnica servera. Server poskytuje energiu na zabezpečenie normálnej prevádzky serverového systému. Použitie napájacích komponentov z karbidu kremíka v napájacom zdroji servera môže zlepšiť hustotu výkonu a účinnosť napájacieho zdroja servera, celkovo znížiť objem dátového centra, znížiť celkové náklady na výstavbu dátového centra a dosiahnuť vyššiu environmentálnu hodnotu. efektívnosť.

4. Uhv - Aplikácia flexibilných prenosových jednosmerných ističov.

5. Medzimestská vysokorýchlostná železnica a medzimestská železničná doprava -- trakčné meniče, výkonové elektronické transformátory, pomocné meniče, pomocné napájacie zdroje.