2-palcové doštičky z karbidu kremíka, 6H alebo 4H typu N alebo poloizolačné SiC substráty

4H SiC doštička typu N
Priemer: 2 palce 50,8 mm | 4 palce 100 mm | 6 palcov 150 mm
Orientácia: mimo osi 4,0˚ smerom k <1120> ± 0,5˚
Odpor: < 0,1 ohm.cm
Drsnosť: Si-plocha CMP Ra <0,5 nm, optický lesk C-plochy Ra <1 nm

4H SiC doštička poloizolačný
Priemer: 2 palce 50,8 mm | 4 palce 100 mm | 6 palcov 150 mm
Orientácia: na osi {0001} ± 0,25˚
Merný odpor: >1E5 ohm.cm
Drsnosť: Si-plocha CMP Ra <0,5 nm, optický lesk C-plochy Ra <1 nm

1. 5G infraštruktúra -- napájanie komunikácie.
Komunikačný zdroj napájania je energetickou základňou pre komunikáciu serverov a základňových staníc. Dodáva elektrickú energiu pre rôzne prenosové zariadenia, aby sa zabezpečila normálna prevádzka komunikačného systému.

2. Nabíjacia stanica pre nové energetické vozidlá -- výkonový modul nabíjacej stanice.
Vysokú účinnosť a vysoký výkon nabíjacieho modulu možno dosiahnuť použitím karbidu kremíka v nabíjacom module, čím sa zvýši rýchlosť nabíjania a znížia náklady na nabíjanie.

3. Veľké dátové centrum, priemyselný internet -- napájanie servera.
Zdroj napájania servera je energetická knižnica servera. Server poskytuje energiu na zabezpečenie normálnej prevádzky serverového systému. Použitie komponentov z karbidu kremíka v zdroji napájania servera môže zlepšiť hustotu výkonu a účinnosť zdroja napájania servera, znížiť celkový objem dátového centra, znížiť celkové náklady na výstavbu dátového centra a dosiahnuť vyššiu environmentálnu účinnosť.

4. Uhv - Použitie flexibilných prenosových DC ističov.

5. Medzimestská vysokorýchlostná železnica a medzimestská železničná doprava -- trakčné meniče, výkonové elektronické transformátory, pomocné meniče, pomocné zdroje napájania.