8-palcový SiC Výrobný plátok 4H-N SiC substrát

Stručný popis:

8-palcové SiC substráty sa používajú vo vysokovýkonných elektronických zariadeniach, ako sú výkonové MOSFETy (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), Schottkyho diódy a iné výkonové polovodičové zariadenia.

Pošlite nám e-mail

Detail produktu

Štítky produktu

Nasledujúca tabuľka zobrazuje špecifikácie našich 8-palcových SiC doštičiek：

Špecifikácie 8-palcového SiC DSP typu N
číslo	Položka	Jednotka	Výroba	Výskum	Dummy
1: parametre
1.1	polytyp	--	4H	4H	4H
1.2	povrchová orientácia	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2: Elektrické parametre
2.1	dopant	--	dusík typu n	dusík typu n	dusík typu n
2.2	odpor	ohm · cm	0,015 až 0,025	0,01 až 0,03	NA
3: Mechanický parameter
3.1	priemer	mm	200 ± 0,2	200 ± 0,2	200 ± 0,2
3.2	hrúbka	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	Orientácia zárezu	°	[1-100]±5	[1-100]±5	[1-100]±5
3.4	Hĺbka zárezu	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	LTV	μm	≤5 (10 mm x 10 mm)	≤5 (10 mm x 10 mm)	≤ 10 (10 mm x 10 mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Poklona	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Warp	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra < 0,2	Ra < 0,2	Ra < 0,2
4: Štruktúra
4.1	hustota mikropipety	ea/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	obsah kovov	atómov/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ea/cm2	≤ 500	≤ 1000	NA
4.4	BPD	ea/cm2	≤ 2 000	≤ 5 000	NA
4.5	TED	ea/cm2	≤ 7000	≤ 10 000	NA
5. Predná kvalita
5.1	vpredu	--	Si	Si	Si
5.2	povrchová úprava	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	častica	čaj/oblátka	≤ 100 (veľkosť ≥ 0,3 μm)	NA	NA
5.4	poškriabať	čaj/oblátka	≤ 5, celková dĺžka ≤ 200 mm	NA	NA
5.5	Edge triesky/preliačiny/praskliny/škvrny/kontaminácia	--	žiadne	žiadne	NA
5.6	Polytypové oblasti	--	žiadne	Plocha ≤ 10 %	Plocha ≤ 30 %
5.7	predné označenie	--	žiadne	žiadne	žiadne
6: Kvalita chrbta
6.1	zadná úprava	--	C-face MP	C-face MP	C-face MP
6.2	poškriabať	mm	NA	NA	NA
6.3	Okraj defektov chrbta čipy/zarážky	--	žiadne	žiadne	NA
6.4	Drsnosť chrbta	nm	Ra < 5	Ra < 5	Ra < 5
6.5	Zadné označenie	--	Zárez	Zárez	Zárez
7: okraj
7.1	okraj	--	Skosenie	Skosenie	Skosenie
8: Balenie
8.1	balenie	--	Epi-pripravené s vákuom balenie	Epi-pripravené s vákuom balenie	Epi-pripravené s vákuom balenie
8.2	balenie	--	Viacnásobná oblátka balenie kazety	Viacnásobná oblátka balenie kazety	Viacnásobná oblátka balenie kazety