GaAs vysokovýkonný epitaxný substrát z arzenidu gália, výkonný laser s vlnovou dĺžkou 905 nm pre laserové lekárske ošetrenie
Medzi kľúčové vlastnosti laserovej epitaxnej fólie GaAs patria:
1. Vysoká mobilita elektrónov: Arzenid gália má vysokú mobilitu elektrónov, vďaka čomu majú laserové epitaxné doštičky GaAs dobré uplatnenie vo vysokofrekvenčných zariadeniach a vysokorýchlostných elektronických zariadeniach.
2. Priama luminiscencia s prechodom v pásmovej medzere: Ako materiál s priamym pásmovým prechodom dokáže arzenid gália efektívne premieňať elektrickú energiu na svetelnú energiu v optoelektronických zariadeniach, vďaka čomu je ideálny na výrobu laserov.
3. Vlnová dĺžka: Lasery GaAs 905 typicky pracujú na vlnovej dĺžke 905 nm, vďaka čomu sú vhodné pre mnoho aplikácií vrátane biomedicíny.
4. Vysoká účinnosť: s vysokou účinnosťou fotoelektrickej konverzie dokáže efektívne premieňať elektrickú energiu na laserový výstup.
5. Vysoký výkon: Dokáže dosiahnuť vysoký výkon a je vhodný pre aplikácie, ktoré vyžadujú silný zdroj svetla.
6. Dobrý tepelný výkon: Materiál GaAs má dobrú tepelnú vodivosť, čo pomáha znižovať prevádzkovú teplotu laseru a zlepšuje stabilitu.
7. Široká laditeľnosť: Výstupný výkon je možné nastaviť zmenou prúdu pohonu, aby sa prispôsobil rôznym požiadavkám aplikácie.
Medzi hlavné aplikácie laserových epitaxných tabliet GaAs patria:
1. Komunikácia s optickými vláknami: Laserová epitaxná doska GaAs sa môže použiť na výrobu laserov v komunikácii s optickými vláknami na dosiahnutie vysokorýchlostného a diaľkového prenosu optického signálu.
2. Priemyselné aplikácie: V priemyselnej oblasti sa laserové epitaxné plechy GaAs môžu používať na laserové meranie vzdialenosti, laserové značenie a ďalšie aplikácie.
3. VCSEL: Vertikálny dutinový povrchový emitujúci laser (VCSEL) je dôležitou aplikačnou oblasťou epitaxnej vrstvy GaAs laseru, ktorá sa široko používa v optickej komunikácii, optickom ukladaní a optickom snímaní.
4. Infračervené a bodové pole: GaAs laserová epitaxná fólia sa môže použiť aj na výrobu infračervených laserov, bodových generátorov a iných zariadení, ktoré zohrávajú dôležitú úlohu v detekcii infračerveného žiarenia, zobrazovaní svetla a ďalších oblastiach.
Príprava laserovej epitaxnej vrstvy GaAs závisí hlavne od technológie epitaxného rastu, vrátane chemickej depozície z pár s organokovovými zložkami (MOCVD), molekulárnej lúčovej epitaxie (MBE) a ďalších metód. Tieto techniky umožňujú presne kontrolovať hrúbku, zloženie a kryštálovú štruktúru epitaxnej vrstvy, čím sa získajú vysoko kvalitné laserové epitaxné vrstvy GaAs.
Spoločnosť XKH ponúka úpravy epitaxných plechov GaAs v rôznych štruktúrach a hrúbkach, ktoré pokrývajú širokú škálu aplikácií v optickej komunikácii, VCSEL, infračervenom žiarení a svetelných bodoch. Produkty spoločnosti XKH sa vyrábajú na pokročilom zariadení MOCVD, aby sa zabezpečil vysoký výkon a spoľahlivosť. Pokiaľ ide o logistiku, spoločnosť XKH má širokú škálu medzinárodných dodávateľských kanálov, ktoré dokážu flexibilne spracovať počet objednávok a poskytovať služby s pridanou hodnotou, ako je zdokonaľovanie a delenie. Efektívne dodacie procesy zabezpečujú včasné dodanie a spĺňajú požiadavky zákazníkov na kvalitu a dodacie lehoty. Zákazníci môžu po doručení získať komplexnú technickú podporu a popredajný servis, aby sa zabezpečilo bezproblémové uvedenie produktu do prevádzky.
Podrobný diagram


