Produkty
-
Keramická upínacia miska SiC Keramické prísavky presné obrábanie na mieru
-
Metóda LHPG s priemerom zafírového vlákna 75-500μm sa môže použiť pre vysokoteplotný senzor zo zafírového vlákna
-
Monokryštálový zafírový vláknitý Al₂O₃ s vysokou optickou priepustnosťou a bodom topenia 2072 ℃ sa môže použiť na výrobu materiálov pre laserové okná.
-
Vzorovaný zafírový substrát PSS 2 palce 4 palce 6 palcov ICP suché leptanie sa môže použiť pre LED čipy
-
Malý stolový laserový dierovací stroj s výkonom 1000W-6000W s minimálnou clonou 0,1 mm, vhodný pre kovové sklokeramické materiály
-
Zafírové termočlánkové ochranné trubice pre priemyselné použitie, monokryštál Al2O3
-
Vysoko presný laserový vŕtací stroj na vŕtanie trysiek s ložiskom drahokamov z zafírovej keramiky
-
Metóda KY pre rast monokryštálov zafíru Al2O3 v peci Kyropoulos
-
2 palce, 4 palce, 6 palcov, vzorovaný zafírový substrát (PSS), na ktorom sa pestuje materiál GaN, sa môže použiť na LED osvetlenie
-
4H-N/6H-N SiC Wafer Research production Dummy grade Dia150mm Substrát z karbidu kremíka
-
Monokryštalická kremíková rastová pec, zariadenie na rast monokryštalických kremíkových ingotov, teplota zariadenia do 2100 ℃
-
Pece na rast zafírových kryštálov, Czochralského pec na monokryštály, metóda CZ na pestovanie vysokokvalitného zafírového plátku