Sapphire Single Crystal AL2O3 Rastová pec KY Metóda Kyropoulos Výroba vysokokvalitného zafírového kryštálu

Krátky popis:

KY proces Sapphire Crystal Purnace je druh zariadenia, ktoré sa špeciálne používa na pestovanie veľkej veľkosti a vysokokvalitného zafírového jednokryštálu. Zariadenie integruje vodu, elektrinu a plyn s pokročilým dizajnom a komplexnou štruktúrou. Skladá sa hlavne z kryštálovej rastovej komory, zdvíhacieho systému a rotujúceho systému semien, vákuového systému, systému plynovej dráhy, systému chladiacej vody, dodávky a riadiaceho systému energie a rámu a ďalšieho pomocného zariadenia.

Pošlite nám e -mail

Detail produktu

Značky produktov

Úvod produktu

Metóda Kyropoulos je technika na pestovanie vysoko kvalitných kryštálov zafírov, ktorých jadrom je dosiahnutie rovnomerného rastu zafírových kryštálov presným regulovaním teplotného poľa a podmienok rastu kryštálov. Nasleduje špecifický účinok metódy peny KY na ingot Sapphire:

1. Vysokok kvalitný rast kryštálov:

Nízka hustota defektov: Metóda rastu bublín KY znižuje dislokáciu a defekty vo vnútri kryštálu pomalým ochladením a presnou reguláciou teploty a rastie vysoko kvalitný ingot zafíru.

Vysoká rovnomernosť: Jednotné tepelné pole a rýchlosť rastu zabezpečujú konzistentné chemické zloženie a fyzikálne vlastnosti kryštálov.

2. Výroba kryštálov veľkej veľkosti:

Ingot s veľkým priemerom: Metóda rastu bublín KY je vhodná na pestovanie ingot veľkej veľkosti s priemerom s priemerom 200 mm až 300 mm, aby sa uspokojili potreby priemyslu pre veľké substráty.

Dlhá kryštálová ingot: Tým, že optimalizáciou procesu rastu je dlhší kryštálový ingot, sa môže pestovať na zlepšenie rýchlosti využitia materiálu.

3. Vysoký optický výkon:

Vysoký prenos svetla: KY Rast Sapphire Crystal Ingot má vynikajúce optické vlastnosti, prenos s vysokým svetlom, vhodný pre optické a optoelektronické aplikácie.

Nízka rýchlosť absorpcie: Znížte absorpčnú stratu svetla v kryštáli, zlepšujte účinnosť optických zariadení.

4. Vynikajúce tepelné a mechanické vlastnosti:

Vysoká tepelná vodivosť: Vysoká tepelná vodivosť ingotu zafíru je vhodná pre požiadavky na rozptyl tepla vysoko výkonných zariadení.

Vysoká tvrdosť a odolnosť proti opotrebeniu: Sapphire má tvrdosť Mohs 9, druhá iba od Diamond, ktorý je vhodný na výrobu častí odolných voči opotrebovaniu.

Technické parametre

Pomenovať	Údaje	Účinok
Veľkosť	Priemer 200 mm-300 mm	Poskytnite veľkú veľkosť zafírového kryštálu, ktorý vyhovuje potrebám substrátu s veľkou veľkosťou, zlepšuje účinnosť výroby.
Teplotný rozsah	Maximálna teplota 2100 ° C, presnosť ± 0,5 ° C	Vysokoteplotné prostredie zaisťuje rast kryštálov, presná kontrola teploty zaisťuje kvalitu kryštálov a znižuje defekty.
Rýchlosť rastu	0,5 mm/h - 2 mm/h	Rýchlosť rastu kryštálov, optimalizujte kvalitu kryštálov a účinnosť výroby.
Vykurovanie	Volfrám alebo molybdén	Poskytuje rovnomerné tepelné pole na zabezpečenie konzistencie teploty počas rastu kryštálov a na zlepšenie uniformity kryštálov.
Chladiaci systém	Efektívne systémy na chladenie vody alebo vzduchu	Zaistite stabilnú prevádzku zariadenia, predchádzajte prehriatiu a predĺžte životnosť zariadenia.
Ovládací systém	PLC alebo systém riadenia počítača	Dosiahnite automatizovanú prevádzku a monitorovanie v reálnom čase, aby ste zlepšili presnosť a efektívnosť výroby.
Vákuové prostredie	Ochrana vysokej vákua alebo inertného plynu	Zabráňte oxidácii kryštálov, aby ste zaistili čistotu a kvalitu kryštálov.

Pracovný princíp

Pracovný princíp metódy KY Sapphire Crystal Purnace je založený na technológii rastu kryštálov KY Method (metóda rastu bubliny). Základný princíp je:

1. Roztopenie materiálu: Surovina AL2O3 naplnená volfrámovým téglikom sa zahrieva na bod topenia cez ohrievač, aby sa vytvorila roztavená polievka.

2. SEFT CRYSTAL CONTACT: Po stabilizácii hladiny kvapaliny roztavenej kvapaliny je kryštál semien ponorený do roztavenej kvapaliny, ktorej teplota je striktne regulovaná zhora nad roztavenou kvapalinou a kryštál semien a roztavená kvapalina začína pestovať kryštály s rovnakou kryštálovou štruktúrou ako semenný kryštál na tuhej látke.

3. Krystálna tvorba krku: Kryštál semien sa otáča smerom nahor veľmi pomalou rýchlosťou a na určitú dobu sa ťahá za tvorbu kryštálového krku.

4. Rast kryštálov: Po rýchlosti tuhnutia rozhrania medzi tekutinou a semenným kryštálom je stabilný, kryštál semien sa už viac nesťahuje a otáča a riadi iba rýchlosť chladenia, aby sa kryštál postupne tuhoval zhora nadol a nakoniec pestoval kompletný zafírový jediná kryštál.

Použitie zafírového kryštálového ingot po raste

1. Substrát LED:

LED s vysokým jasom: Po zarezaní ingotu Sapphire Ingot sa používa na substrát, používa sa na výrobu LED na báze GAN, ktorá sa široko používa pri osvetlení, displeji a podsvietení.

MINI/MICRO LED: Vysoká rovinnosť a nízka hustota defektov shapfírového substrátu sú vhodné na výrobu mini/mikro LED displejov s vysokým rozlíšením.

2. Laserová dióda (LD):

Modré lasery: Sapphire substráty sa používajú na výrobu modrých laserových diód na ukladanie údajov, lekárske a priemyselné spracovanie.

Ultrafialový laser: Sapphireova vysoká priepustnosť a tepelná stabilita sú vhodné na výrobu ultrafialových laserov.

3. Optické okno:

Okno prenosu s vysokým svetlom: Ingot Sapphire sa používa na výrobu optických okien pre lasery, infračervené zariadenia a špičkové kamery.

Okno opotrebenia: Vysoká tvrdosť a odolnosť proti opotrebeniu zafíru je vhodná na použitie v drsnom prostredí.

4. Epitaxiálny substrát polovodiča:

Epitaxiálny rast Gan: Sapphire substráty sa používajú na pestovanie epitaxiálnych vrstiev GAN na výrobu tranzistorov s vysokou elektrónovou mobilitou (HEMT) a RF zariadenia.

ALN epitaxiálny rast: Používa sa na výrobu hlbokých ultrafialových LED a laserov.

5. Spotrebná elektronika:

Krytová doska fotoaparátu smartfónov: Ingot Sapphire Ingot sa používa na vytvorenie vysokej tvrdosti a poškriabanej krycej doske fotoaparátu.

Smart Watch Mirror: Odolnosť za vysoké opotrebenie spoločnosti Sapphire je vhodná na výrobu špičkového zrkadla inteligentných hodiniek.

6. Priemyselné aplikácie:

Noste diely: Ingot Sapphire sa používa na výrobu opotrebovaných dielov pre priemyselné vybavenie, ako sú ložiská a dýzy.

Senzory s vysokou teplotou: Chemická stabilita a vysoké teplotné vlastnosti zafíru sú vhodné na výrobu senzorov s vysokou teplotou.

7. Aerospace:

Okná s vysokou teplotou: Ingot Sapphire sa používa na výrobu okien a senzorov s vysokou teplotou pre letecké zariadenie.

Časti odolné voči korózii: Chemická stabilita zafíru je vhodná na výrobu častí odolných voči korózii.

8. Lekárske vybavenie:

Vysoko presné nástroje: Ingot Sapphire sa používa na výrobu vysoko presných lekárskych nástrojov, ako sú skalpely a endoskopy.

Biosensors: Vďaka biokompatibilite Sapphire je vhodný na výrobu biosenzorov.

Spoločnosť XKH môže zákazníkom poskytnúť celú škálu služieb zariadeniach pre výrobu pece Sapphire Purce, aby sa zabezpečilo, že zákazníci v procese používania získavajú komplexnú, včasnú a efektívnu podporu.

1. VÝROBA PREDAJ: Poskytnite KY Methods Sapphire Purnace Equipment Services, vrátane rôznych modelov, špecifikácií výberu zariadení, s cieľom uspokojiť potreby výroby zákazníkov.

2.Technická podpora: Poskytovať zákazníkom inštaláciu zariadenia, uvedenie do prevádzky, prevádzku a ďalšie aspekty technickej podpory, aby sa zabezpečilo, že zariadenie môže normálne fungovať a dosiahnuť najlepšie výsledky výroby.

3.Prapravy služieb: Poskytovať zákazníkom prevádzku zariadenia, údržbu a ďalšie aspekty školiacich služieb, aby sa zákazníkom oboznámili s procesom prevádzky zariadenia, zlepšili efektívnosť využívania zariadení.

4. Prispôsobené služby: Podľa osobitných potrieb zákazníkov poskytujte služby prispôsobeného vybavenia vrátane návrhu vybavenia, výroby, inštalácie a ďalších aspektov personalizovaných riešení.