Keramická platňa/podnos SiC pre držiak doštičiek s rozmermi 4 a 6 palcov pre ICP

Keramická platňa/podnos SiC pre držiak 4-palcových a 6-palcových doštičiek pre ICP Obrázok

Stručný popis:

Keramická doska SiC je vysokovýkonný komponent vyrobený z vysoko čistého karbidu kremíka, určený na použitie v extrémnych tepelných, chemických a mechanických prostrediach. Doska SiC je známa svojou výnimočnou tvrdosťou, tepelnou vodivosťou a odolnosťou proti korózii a je široko používaná ako nosič doštičiek, susceptor alebo štrukturálny komponent v polovodičovom, LED, fotovoltaickom a leteckom priemysle.

Pošlite nám e-mail

Funkcie

Abstrakt keramickej dosky SiC

Vďaka vynikajúcej tepelnej stabilite až do 1600 °C a vynikajúcej odolnosti voči reaktívnym plynom a plazmovému prostrediu zaisťuje doska SiC konzistentný výkon počas procesov leptania, nanášania a difúzie pri vysokých teplotách. Jej hustá, neporézna mikroštruktúra minimalizuje tvorbu častíc, vďaka čomu je ideálna pre ultra čisté aplikácie vo vákuu alebo v čistých priestoroch.

Aplikácia keramickej dosky SiC

1. Výroba polovodičov

Keramické dosky SiC sa bežne používajú ako nosiče doštičiek, susceptory a podstavcové dosky v zariadeniach na výrobu polovodičov, ako je CVD (chemické nanášanie z pár), PVD (fyzikálne nanášanie z pár) a leptanie. Ich vynikajúca tepelná vodivosť a nízka tepelná rozťažnosť im umožňujú udržiavať rovnomerné rozloženie teploty, čo je rozhodujúce pre vysoko presné spracovanie doštičiek. Odolnosť SiC voči korozívnym plynom a plazme zaisťuje odolnosť v náročných prostrediach, čo pomáha znižovať kontamináciu časticami a údržbu zariadení.

2. Priemysel LED – ICP leptanie

V sektore výroby LED diód sú SiC platne kľúčovými komponentmi v ICP (indukčne viazanej plazme) leptacích systémoch. Pôsobia ako držiaky doštičiek a poskytujú stabilnú a tepelne robustnú platformu na podopretie zafírových alebo GaN doštičiek počas plazmového spracovania. Ich vynikajúca odolnosť voči plazme, rovinnosť povrchu a rozmerová stabilita pomáhajú zabezpečiť vysokú presnosť a rovnomernosť leptania, čo vedie k zvýšenému výťažku a výkonu zariadení v LED čipoch.

3. Fotovoltaika (FV) a solárna energia

Keramické dosky SiC sa používajú aj pri výrobe solárnych článkov, najmä počas krokov spekania a žíhania pri vysokých teplotách. Ich inertnosť pri zvýšených teplotách a schopnosť odolávať deformácii zabezpečujú konzistentné spracovanie kremíkových doštičiek. Okrem toho je ich nízke riziko kontaminácie nevyhnutné pre udržanie účinnosti fotovoltaických článkov.

Vlastnosti keramickej dosky SiC

1. Výnimočná mechanická pevnosť a tvrdosť

Keramické dosky SiC vykazujú veľmi vysokú mechanickú pevnosť s typickou pevnosťou v ohybe presahujúcou 400 MPa a tvrdosťou podľa Vickersa dosahujúcou >2000 HV. Vďaka tomu sú vysoko odolné voči mechanickému opotrebovaniu, oderu a deformácii, čo zaisťuje dlhú životnosť aj pri vysokom zaťažení alebo opakovanom tepelnom cyklovaní.

2. Vysoká tepelná vodivosť

SiC má vynikajúcu tepelnú vodivosť (typicky 120 – 200 W/m·K), čo mu umožňuje rovnomerné rozloženie tepla po celom povrchu. Táto vlastnosť je kľúčová v procesoch, ako je leptanie, nanášanie alebo spekanie doštičiek, kde rovnomernosť teploty priamo ovplyvňuje výťažnosť a kvalitu produktu.

3. Vynikajúca tepelná stabilita

Vďaka vysokému bodu topenia (2700 °C) a nízkemu koeficientu tepelnej rozťažnosti (4,0 × 10⁻⁶/K) si keramické dosky SiC zachovávajú rozmerovú presnosť a štrukturálnu integritu aj pri rýchlych cykloch ohrevu a chladenia. Vďaka tomu sú ideálne na použitie vo vysokoteplotných peciach, vákuových komorách a plazmových prostrediach.

Technické vlastnosti
Index	Jednotka	Hodnota
Názov materiálu		Reakčne spekaný karbid kremíka	Beztlakový spekaný karbid kremíka	Rekryštalizovaný karbid kremíka
Zloženie		RBSiC	SSiC	R-SiC
Objemová hustota	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60 – 2,70
Pevnosť v ohybe	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80 – 90 (20 °C) 90 – 100 (1400 °C)
Pevnosť v tlaku	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Tvrdosť	Knoop	2700	2800	/
Lámanie húževnatosti	MPa m1/2	4,5	4	/
Tepelná vodivosť	W/mk	95	120	23
Koeficient tepelnej rozťažnosti	10^-60,1 °C	5	4	4,7
Merná tepelná kapacita	Joule/g 0k	0,8	0,67	/
Maximálna teplota vzduchu	℃	1200	1500	1600
Modul pružnosti	GPA	360	410	240

Otázky a odpovede o keramických doskách SiC

Otázka: Aké sú vlastnosti dosky z karbidu kremíka?

A： Platne z karbidu kremíka (SiC) sú známe svojou vysokou pevnosťou, tvrdosťou a tepelnou stabilitou. Ponúkajú vynikajúcu tepelnú vodivosť a nízku tepelnú rozťažnosť, čo zaisťuje spoľahlivý výkon pri extrémnych teplotách. SiC je tiež chemicky inertný, odolný voči kyselinám, zásadám a plazmovému prostrediu, vďaka čomu je ideálny na spracovanie polovodičov a LED diód. Jeho hustý a hladký povrch minimalizuje tvorbu častíc a zachováva kompatibilitu s čistými priestormi. Platne SiC sa široko používajú ako nosiče doštičiek, susceptory a podporné komponenty vo vysokoteplotnom a korozívnom prostredí v polovodičovom, fotovoltaickom a leteckom priemysle.