Pec na rast kryštálov SiC, rast SiC ingotov, 4-palcový, 6-palcový, 8-palcový PTV, Lely TSSG, metóda rastu LPE
Hlavné metódy rastu kryštálov a ich vlastnosti
(1) Metóda fyzikálneho prenosu pár (PTV)
Princíp: Pri vysokých teplotách surový SiC sublimuje do plynnej fázy, ktorá následne rekryštalizuje na zárodočnom kryštáli.
Hlavné vlastnosti:
Vysoká teplota rastu (2000 – 2500 °C).
Možno pestovať vysoko kvalitné kryštály 4H-SiC a 6H-SiC s veľkou veľkosťou.
Tempo rastu je pomalé, ale kvalita kryštálov je vysoká.
Použitie: Používa sa hlavne vo výkonových polovodičoch, RF zariadeniach a iných špičkových oblastiach.
(2) Lelyho metóda
Princíp: Kryštály sa pestujú spontánnou sublimáciou a rekryštalizáciou práškov SiC pri vysokých teplotách.
Hlavné vlastnosti:
Proces rastu nevyžaduje semená a veľkosť kryštálov je malá.
Kvalita kryštálov je vysoká, ale účinnosť rastu je nízka.
Vhodné pre laboratórny výskum a malosériovú výrobu.
Použitie: Používa sa hlavne vo vedeckom výskume a pri príprave malých kryštálov SiC.
(3) Metóda rastu s roztokom z vrchných semien (TSSG)
Princíp: Vo vysokoteplotnom roztoku sa surový SiC rozpúšťa a kryštalizuje na zárodočnom kryštáli.
Hlavné vlastnosti:
Teplota rastu je nízka (1500 – 1800 °C).
Možno pestovať vysoko kvalitné kryštály SiC s nízkym obsahom defektov.
Rýchlosť rastu je pomalá, ale uniformita kryštálov je dobrá.
Použitie: Vhodné na prípravu vysoko kvalitných kryštálov SiC, ako sú napríklad optoelektronické zariadenia.
(4) Epitaxia v kvapalnej fáze (LPE)
Princíp: V roztoku tekutého kovu dochádza k epitaxnému rastu surového SiC na substráte.
Hlavné vlastnosti:
Teplota rastu je nízka (1000 – 1500 °C).
Rýchly rast, vhodný na pestovanie fólií.
Kvalita kryštálov je vysoká, ale hrúbka je obmedzená.
Použitie: Používa sa hlavne na epitaxný rast SiC filmov, ako sú senzory a optoelektronické zariadenia.
Hlavné spôsoby použitia kryštálovej pece z karbidu kremíka
Kryštálová pec SiC je základným zariadením na prípravu kryštálov SIC a jej hlavné spôsoby použitia zahŕňajú:
Výroba výkonových polovodičových súčiastok: Používa sa na pestovanie vysokokvalitných kryštálov 4H-SiC a 6H-SiC ako substrátových materiálov pre výkonové zariadenia (ako sú MOSFETy, diódy).
Použitie: elektrické vozidlá, fotovoltaické invertory, priemyselné napájacie zdroje atď.
Výroba RF zariadení: Používa sa na pestovanie kryštálov SiC s nízkym obsahom defektov ako substrátov pre RF zariadenia na splnenie vysokofrekvenčných potrieb 5G komunikácie, radarovej a satelitnej komunikácie.
Výroba optoelektronických zariadení: Používa sa na pestovanie vysokokvalitných kryštálov SiC ako substrátových materiálov pre LED diódy, ultrafialové detektory a lasery.
Vedecký výskum a malosériová výroba: pre laboratórny výskum a vývoj nových materiálov na podporu inovácií a optimalizácie technológie rastu kryštálov SiC.
Výroba zariadení pre vysoké teploty: Používa sa na pestovanie kryštálov SiC odolných voči vysokým teplotám ako základného materiálu pre letecký priemysel a vysokoteplotné senzory.
Zariadenia a služby pecí SiC poskytované spoločnosťou
Spoločnosť XKH sa zameriava na vývoj a výrobu zariadení na kryštálové pece SIC a poskytuje nasledujúce služby:
Vybavenie na mieru: Spoločnosť XKH poskytuje rastové pece na mieru s rôznymi rastovými metódami, ako sú PTV a TSSG, podľa požiadaviek zákazníka.
Technická podpora: Spoločnosť XKH poskytuje zákazníkom technickú podporu pre celý proces od optimalizácie procesu rastu kryštálov až po údržbu zariadení.
Školiace služby: Spoločnosť XKH poskytuje zákazníkom prevádzkové školenia a technické poradenstvo s cieľom zabezpečiť efektívnu prevádzku zariadení.
Popredajný servis: Spoločnosť XKH poskytuje rýchly popredajný servis a modernizáciu zariadení, aby zabezpečila kontinuitu výroby zákazníkov.
Technológia rastu kryštálov karbidu kremíka (ako napríklad PTV, Lely, TSSG, LPE) má dôležité uplatnenie v oblasti výkonovej elektroniky, RF zariadení a optoelektroniky. Spoločnosť XKH poskytuje pokročilé zariadenia pre pece SiC a kompletný sortiment služieb na podporu zákazníkov pri veľkovýrobe vysokokvalitných kryštálov SiC a na pomoc rozvoju polovodičového priemyslu.
Podrobný diagram
