6-palcový GaN-On-Sapphire

Stručný opis:

150 mm 6-palcový GaN na kremík/zafír/SiC epi-vrstvový plátok epitaxný plátok z nitridu gália

6-palcový zafírový substrátový plátok je vysokokvalitný polovodičový materiál pozostávajúci z vrstiev nitridu gália (GaN) pestovaných na zafírovom substráte.Materiál má vynikajúce elektronické transportné vlastnosti a je ideálny na výrobu vysokovýkonných a vysokofrekvenčných polovodičových zariadení.

Pošlite nám e-mail

Detail produktu

Štítky produktu

150 mm 6-palcový GaN na kremík/zafír/SiC epi-vrstvový plátok epitaxný plátok z nitridu gália

Výrobná metóda: Výrobný proces zahŕňa rast vrstiev GaN na zafírovom substráte pomocou pokročilých techník, ako je kov-organická chemická depozícia z plynnej fázy (MOCVD) alebo epitaxia molekulárnym lúčom (MBE).Proces nanášania sa vykonáva za kontrolovaných podmienok, aby sa zabezpečila vysoká kvalita kryštálov a jednotný film.

6-palcové aplikácie GaN-On-Sapphire: 6-palcové zafírové substrátové čipy sú široko používané v mikrovlnnej komunikácii, radarových systémoch, bezdrôtovej technológii a optoelektronike.

Niektoré bežné aplikácie zahŕňajú

1. Vf výkonový zosilňovač

2. LED osvetlenie priemyslu

3. Bezdrôtové sieťové komunikačné zariadenie

4. Elektronické zariadenia v prostredí s vysokou teplotou

5. Optoelektronické zariadenia

Špecifikácia výrobku

- Veľkosť: Priemer substrátu je 6 palcov (asi 150 mm).

- Kvalita povrchu: Povrch bol jemne leštený, aby poskytoval vynikajúcu zrkadlovú kvalitu.

- Hrúbka: Hrúbku vrstvy GaN je možné prispôsobiť podľa špecifických požiadaviek.

- Balenie: Substrát je starostlivo zabalený s antistatickými materiálmi, aby sa zabránilo poškodeniu počas prepravy.

- Polohovacie hrany: Substrát má špecifické polohovacie hrany, ktoré uľahčujú zarovnanie a obsluhu počas prípravy zariadenia.

- Ďalšie parametre: Špecifické parametre ako tenkosť, rezistivita a koncentrácia dopingu je možné upraviť podľa požiadaviek zákazníka.

Vďaka svojim vynikajúcim materiálovým vlastnostiam a rôznym aplikáciám sú 6-palcové zafírové substrátové doštičky spoľahlivou voľbou pre vývoj vysokovýkonných polovodičových zariadení v rôznych priemyselných odvetviach.

Substrát	6” 1 mm <111> p-typ Si	6” 1 mm <111> p-typ Si
Epi ThickAvg	~5um	~7um
Epi ThickUnif	<2 %	<2 %
Poklona	+/-45 um	+/-45 um
Praskanie	<5 mm	<5 mm
Vertikálne BV	> 1000 V	> 1400 V
HEMT Al%	25 – 35 %	25 – 35 %
HEMT HrubýPriem	20-30 nm	20-30 nm
Insitu SiN Cap	5-60 nm	5-60 nm
2° konc.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Mobilita	~2000 cm²/vs (<2 %)	~2000 cm²/vs (<2 %)
Rsh	<330 ohmov/sq (<2%)	<330 ohmov/sq (<2%)