12-palcový zafírový plátok C-rovina SSP/DSP

Stručný popis:

Položka Špecifikácia
Priemer 2 palce 4 palce 6 palcov 8 palcov 12 palcov
Materiál Umelý zafír (Al2O3 ≥ 99,99 %)
Hrúbka 430±15μm 650±15μm 1300±20μm 1300±20μm 3000±20μm
Povrch
orientácia
c-rovina(0001)
Dĺžka OF 16±1 mm 30±1 mm 47,5 ± 2,5 mm 47,5 ± 2,5 mm *dohodou možné
Orientácia OF rovina a 0±0,3°
TTV * ≦10 μm ≦10 μm ≦15 μm ≦15 μm *dohodou možné
LUK * -10 ~ 0 μm -15 ~ 0 μm -20 ~ 0 μm -25 ~ 0 μm *dohodou možné
Osnova * ≦15 μm ≦20 μm ≦25 μm ≦30 μm *dohodou možné
Predná strana
dokončovanie
Epi-ready (Ra < 0,3 nm)
Zadná strana
dokončovanie
Lapovanie (Ra 0,6 – 1,2 μm)
Balenie Vákuové balenie v čistej miestnosti
Prvotriedna trieda Vysokokvalitné čistenie: veľkosť častíc ≧ 0,3 μm), ≦ 0,18 ks/cm2, kontaminácia kovom ≦ 2E10/cm2
Poznámky Prispôsobiteľné špecifikácie: orientácia v rovine a/r/m, odklon od uhla, tvar, obojstranné leštenie

Funkcie

Podrobný diagram

OBRÁZOK_
OBRÁZOK_(1)

Úvod do zafírov

Zafírová doštička je monokryštálový substrátový materiál vyrobený z vysoko čistého syntetického oxidu hlinitého (Al₂O₃). Veľké kryštály zafíru sa pestujú pomocou pokročilých metód, ako je Kyropoulosova (KY) alebo metóda výmeny tepla (HEM), a potom sa spracovávajú rezaním, orientáciou, brúsením a presným leštením. Vďaka svojim výnimočným fyzikálnym, optickým a chemickým vlastnostiam hrá zafírová doštička nenahraditeľnú úlohu v oblasti polovodičov, optoelektroniky a špičkovej spotrebnej elektroniky.

IMG_0785_副本

Hlavné metódy syntézy zafírov

Metóda Princíp Výhody Hlavné aplikácie
Verneuilova metóda(Fúzia plameňov) Vysoko čistý prášok Al₂O₃ sa taví v kyslíkovo-vodíkovom plameni, kvapôčky tuhnú vrstvu po vrstve na semienku. Nízke náklady, vysoká účinnosť, relatívne jednoduchý proces Zafíry drahokamovej kvality, rané optické materiály
Czochralského metóda (CZ) Al₂O₃ sa roztaví v tégliku a zárodočný kryštál sa pomaly vyťahuje nahor, aby kryštál vyrástol. Vytvára relatívne veľké kryštály s dobrou integritou Laserové kryštály, optické okná
Kyropoulosova metóda (KY) Riadené pomalé chladenie umožňuje kryštálu postupný rast vo vnútri téglika Schopný pestovať kryštály veľkých rozmerov s nízkym napätím (desiatky kilogramov alebo viac) LED substráty, obrazovky smartfónov, optické komponenty
Metóda HEM(Výmena tepla) Chladenie začína od vrchu téglika, kryštály rastú smerom nadol od zárodku. Produkuje veľmi veľké kryštály (až stovky kilogramov) s jednotnou kvalitou Veľké optické okná, letecký priemysel, vojenská optika
1
2
3
4

Orientácia kryštálov

Orientácia / Rovina Millerov index Charakteristiky Hlavné aplikácie
C-rovina (0001) Kolmo na os c, polárny povrch, atómy usporiadané rovnomerne LED, laserové diódy, GaN epitaxné substráty (najpoužívanejšie)
A-lietadlo (11 – 20) Rovnobežne s osou c, nepolárna plocha, zabraňuje polarizačným efektom Nepolárna GaN epitaxia, optoelektronické súčiastky
M-lietadlo (10-10) Rovnobežne s osou c, nepolárne, vysoká symetria Vysokovýkonná GaN epitaxia, optoelektronické zariadenia
R-rovina (1-102) Sklon k osi c, vynikajúce optické vlastnosti Optické okná, infračervené detektory, laserové komponenty

 

orientácia kryštálov

Špecifikácia zafírového plátku (prispôsobiteľná)

Položka 1-palcové zafírové doštičky s hrúbkou 430 μm v rovine C (0001)
Kryštálové materiály 99,999 %, vysoká čistota, monokryštalický Al2O3
Stupeň Prime, pripravený na epidémiu
Orientácia povrchu C-rovina (0001)
Uhol odklonu roviny C voči osi M 0,2 +/- 0,1°
Priemer 25,4 mm +/- 0,1 mm
Hrúbka 430 μm +/- 25 μm
Leštené z jednej strany Predná plocha Epi-leštené, Ra < 0,2 nm (pomocou AFM)
(SSP) Zadný povrch Jemne brúsené, Ra = 0,8 μm až 1,2 μm
Obojstranne leštené Predná plocha Epi-leštené, Ra < 0,2 nm (pomocou AFM)
(DSP) Zadný povrch Epi-leštené, Ra < 0,2 nm (pomocou AFM)
TTV < 5 μm
LUK < 5 μm
DEFORMÁCIA < 5 μm
Čistenie / Balenie Čistenie čistých priestorov triedy 100 a vákuové balenie,
25 kusov v jednom kazetovom balení alebo v balení po jednom kuse.

 

Položka 2-palcové zafírové doštičky s hrúbkou 430 μm v rovine C (0001)
Kryštálové materiály 99,999 %, vysoká čistota, monokryštalický Al2O3
Stupeň Prime, pripravený na epidémiu
Orientácia povrchu C-rovina (0001)
Uhol odklonu roviny C voči osi M 0,2 +/- 0,1°
Priemer 50,8 mm +/- 0,1 mm
Hrúbka 430 μm +/- 25 μm
Primárna orientácia bytu Rovina A (11-20) +/- 0,2°
Primárna dĺžka plochého 16,0 mm +/- 1,0 mm
Leštené z jednej strany Predná plocha Epi-leštené, Ra < 0,2 nm (pomocou AFM)
(SSP) Zadný povrch Jemne brúsené, Ra = 0,8 μm až 1,2 μm
Obojstranne leštené Predná plocha Epi-leštené, Ra < 0,2 nm (pomocou AFM)
(DSP) Zadný povrch Epi-leštené, Ra < 0,2 nm (pomocou AFM)
TTV < 10 μm
LUK < 10 μm
DEFORMÁCIA < 10 μm
Čistenie / Balenie Čistenie čistých priestorov triedy 100 a vákuové balenie,
25 kusov v jednom kazetovom balení alebo v balení po jednom kuse.
Položka 3-palcové zafírové doštičky s hrúbkou 500 μm v rovine C (0001)
Kryštálové materiály 99,999 %, vysoká čistota, monokryštalický Al2O3
Stupeň Prime, pripravený na epidémiu
Orientácia povrchu C-rovina (0001)
Uhol odklonu roviny C voči osi M 0,2 +/- 0,1°
Priemer 76,2 mm +/- 0,1 mm
Hrúbka 500 μm +/- 25 μm
Primárna orientácia bytu Rovina A (11-20) +/- 0,2°
Primárna dĺžka plochého 22,0 mm +/- 1,0 mm
Leštené z jednej strany Predná plocha Epi-leštené, Ra < 0,2 nm (pomocou AFM)
(SSP) Zadný povrch Jemne brúsené, Ra = 0,8 μm až 1,2 μm
Obojstranne leštené Predná plocha Epi-leštené, Ra < 0,2 nm (pomocou AFM)
(DSP) Zadný povrch Epi-leštené, Ra < 0,2 nm (pomocou AFM)
TTV < 15 μm
LUK < 15 μm
DEFORMÁCIA < 15 μm
Čistenie / Balenie Čistenie čistých priestorov triedy 100 a vákuové balenie,
25 kusov v jednom kazetovom balení alebo v balení po jednom kuse.
Položka 4-palcové zafírové doštičky s hrúbkou 650 μm v rovine C (0001)
Kryštálové materiály 99,999 %, vysoká čistota, monokryštalický Al2O3
Stupeň Prime, pripravený na epidémiu
Orientácia povrchu C-rovina (0001)
Uhol odklonu roviny C voči osi M 0,2 +/- 0,1°
Priemer 100,0 mm +/- 0,1 mm
Hrúbka 650 μm +/- 25 μm
Primárna orientácia bytu Rovina A (11-20) +/- 0,2°
Primárna dĺžka plochého 30,0 mm +/- 1,0 mm
Leštené z jednej strany Predná plocha Epi-leštené, Ra < 0,2 nm (pomocou AFM)
(SSP) Zadný povrch Jemne brúsené, Ra = 0,8 μm až 1,2 μm
Obojstranne leštené Predná plocha Epi-leštené, Ra < 0,2 nm (pomocou AFM)
(DSP) Zadný povrch Epi-leštené, Ra < 0,2 nm (pomocou AFM)
TTV < 20 μm
LUK < 20 μm
DEFORMÁCIA < 20 μm
Čistenie / Balenie Čistenie čistých priestorov triedy 100 a vákuové balenie,
25 kusov v jednom kazetovom balení alebo v balení po jednom kuse.
Položka 6-palcové zafírové doštičky s hrúbkou 1300 μm v rovine C (0001)
Kryštálové materiály 99,999 %, vysoká čistota, monokryštalický Al2O3
Stupeň Prime, pripravený na epidémiu
Orientácia povrchu C-rovina (0001)
Uhol odklonu roviny C voči osi M 0,2 +/- 0,1°
Priemer 150,0 mm +/- 0,2 mm
Hrúbka 1300 μm +/- 25 μm
Primárna orientácia bytu Rovina A (11-20) +/- 0,2°
Primárna dĺžka plochého 47,0 mm +/- 1,0 mm
Leštené z jednej strany Predná plocha Epi-leštené, Ra < 0,2 nm (pomocou AFM)
(SSP) Zadný povrch Jemne brúsené, Ra = 0,8 μm až 1,2 μm
Obojstranne leštené Predná plocha Epi-leštené, Ra < 0,2 nm (pomocou AFM)
(DSP) Zadný povrch Epi-leštené, Ra < 0,2 nm (pomocou AFM)
TTV < 25 μm
LUK < 25 μm
DEFORMÁCIA < 25 μm
Čistenie / Balenie Čistenie čistých priestorov triedy 100 a vákuové balenie,
25 kusov v jednom kazetovom balení alebo v balení po jednom kuse.
Položka 8-palcové zafírové doštičky s hrúbkou 1300 μm v rovine C (0001)
Kryštálové materiály 99,999 %, vysoká čistota, monokryštalický Al2O3
Stupeň Prime, pripravený na epidémiu
Orientácia povrchu C-rovina (0001)
Uhol odklonu roviny C voči osi M 0,2 +/- 0,1°
Priemer 200,0 mm +/- 0,2 mm
Hrúbka 1300 μm +/- 25 μm
Leštené z jednej strany Predná plocha Epi-leštené, Ra < 0,2 nm (pomocou AFM)
(SSP) Zadný povrch Jemne brúsené, Ra = 0,8 μm až 1,2 μm
Obojstranne leštené Predná plocha Epi-leštené, Ra < 0,2 nm (pomocou AFM)
(DSP) Zadný povrch Epi-leštené, Ra < 0,2 nm (pomocou AFM)
TTV < 30 μm
LUK < 30 μm
DEFORMÁCIA < 30 μm
Čistenie / Balenie Čistenie čistých priestorov triedy 100 a vákuové balenie,
Jednodielne balenie.

 

Položka 12-palcové zafírové doštičky s hrúbkou 1300 μm v rovine C (0001)
Kryštálové materiály 99,999 %, vysoká čistota, monokryštalický Al2O3
Stupeň Prime, pripravený na epidémiu
Orientácia povrchu C-rovina (0001)
Uhol odklonu roviny C voči osi M 0,2 +/- 0,1°
Priemer 300,0 mm +/- 0,2 mm
Hrúbka 3000 μm +/- 25 μm
Leštené z jednej strany Predná plocha Epi-leštené, Ra < 0,2 nm (pomocou AFM)
(SSP) Zadný povrch Jemne brúsené, Ra = 0,8 μm až 1,2 μm
Obojstranne leštené Predná plocha Epi-leštené, Ra < 0,2 nm (pomocou AFM)
(DSP) Zadný povrch Epi-leštené, Ra < 0,2 nm (pomocou AFM)
TTV < 30 μm
LUK < 30 μm
DEFORMÁCIA < 30 μm

 

Proces výroby zafírových doštičiek

  1. Rast kryštálov

    • Pestujte zafírové guľôčky (100 – 400 kg) pomocou Kyropoulosovej (KY) metódy v špecializovaných peciach na rast kryštálov.

  2. Vŕtanie a tvarovanie ingotov

    • Na spracovanie gule na valcové ingoty s priemerom 2 – 6 palcov a dĺžkou 50 – 200 mm použite vŕtačku.

  3. Prvé žíhanie

    • Skontrolujte ingoty, či neobsahujú chyby, a vykonajte prvé žíhanie pri vysokej teplote, aby ste zmiernili vnútorné napätie.

  4. Orientácia kryštálov

    • Určte presnú orientáciu zafírového ingotu (napr. rovina C, rovina A, rovina R) pomocou orientačných prístrojov.

  5. Rezanie viaclanovou pílou

    • Nakrájajte ingot na tenké plátky podľa požadovanej hrúbky pomocou viacdrôtového rezacieho zariadenia.

  6. Počiatočná kontrola a druhé žíhanie

    • Skontrolujte narezané doštičky (hrúbku, rovinnosť, povrchové chyby).

    • V prípade potreby vykonajte žíhanie znova, aby ste ďalej zlepšili kvalitu kryštálov.

  7. Zrážanie hrán, brúsenie a leštenie CMP

    • Vykonajte zrážanie hrán, brúsenie povrchov a chemicko-mechanické leštenie (CMP) pomocou špecializovaného zariadenia na dosiahnutie zrkadlového lesku povrchov.

  8. Čistenie

    • Dôkladne vyčistite doštičky ultračistou vodou a chemikáliami v prostredí čistej miestnosti, aby ste odstránili častice a kontaminanty.

  9. Optická a fyzická kontrola

    • Vykonajte detekciu transmitancie a zaznamenajte optické údaje.

    • Merajte parametre doštičky vrátane TTV (celková variácia hrúbky), prehnutia, deformácie, presnosti orientácie a drsnosti povrchu.

  10. Náter (voliteľné)

  • Nanášajte nátery (napr. AR nátery, ochranné vrstvy) podľa špecifikácií zákazníka.

  1. Záverečná kontrola a balenie

  • Vykonajte 100% kontrolu kvality v čistej miestnosti.

  • Zabaľte doštičky do kazetových krabíc v čistých podmienkach triedy 100 a pred odoslaním ich vákuovo uzavrite.

20230721140133_51018

Aplikácie zafírových doštičiek

Zafírové doštičky s ich výnimočnou tvrdosťou, vynikajúcou optickou priepustnosťou, vynikajúcim tepelným výkonom a elektrickou izoláciou sa široko uplatňujú v mnohých odvetviach. Ich aplikácie pokrývajú nielen tradičný priemysel s LED diódami a optoelektroniku, ale rozširujú sa aj do polovodičov, spotrebnej elektroniky a pokročilých leteckých a obranných oblastí.


1. Polovodiče a optoelektronika

LED substráty
Zafírové doštičky sú primárnymi substrátmi pre epitaxný rast nitridu gália (GaN), ktorý sa široko používa v modrých LED diódach, bielych LED diódach a technológiách Mini/Micro LED.

Laserové diódy (LD)
Zafírové doštičky ako substráty pre laserové diódy na báze GaN podporujú vývoj vysokovýkonných laserových zariadení s dlhou životnosťou.

Fotodetektory
V ultrafialových a infračervených fotodetektoroch sa zafírové doštičky často používajú ako priehľadné okienka a izolačné substráty.


2. Polovodičové zariadenia

RFIC (rádiofrekvenčné integrované obvody)
Vďaka svojej vynikajúcej elektrickej izolácii sú zafírové doštičky ideálnymi substrátmi pre vysokofrekvenčné a výkonné mikrovlnné zariadenia.

Technológia kremíka na zafíre (SoS)
Použitím technológie SoS je možné výrazne znížiť parazitnú kapacitu, čím sa zlepší výkon obvodu. Táto technológia sa široko používa vo vysokofrekvenčnej komunikácii a leteckej elektronike.


3. Optické aplikácie

Infračervené optické okná
Vďaka vysokej priepustnosti v rozsahu vlnových dĺžok 200 nm – 5 000 nm sa zafír hojne používa v infračervených detektoroch a infračervených navádzacích systémoch.

Vysokovýkonné laserové okná
Tvrdosť a tepelná odolnosť zafíru z neho robia vynikajúci materiál pre ochranné okienka a šošovky vo vysokovýkonných laserových systémoch.


4. Spotrebná elektronika

Kryty objektívov fotoaparátov
Vysoká tvrdosť zafíru zaisťuje odolnosť objektívov smartfónov a fotoaparátov voči poškriabaniu.

Snímače odtlačkov prstov
Zafírové doštičky môžu slúžiť ako odolné, priehľadné kryty, ktoré zlepšujú presnosť a spoľahlivosť pri rozpoznávaní odtlačkov prstov.

Inteligentné hodinky a prémiové displeje
Zafírové obrazovky kombinujú odolnosť proti poškriabaniu s vysokou optickou čistotou, vďaka čomu sú obľúbené v špičkových elektronických produktoch.


5. Letectvo a obrana

Infračervené kupoly pre rakety
Zafírové okná zostávajú priehľadné a stabilné aj pri vysokých teplotách a rýchlostiach.

Letecko-kozmické optické systémy
Používajú sa vo vysokopevnostných optických oknách a pozorovacích zariadeniach určených pre extrémne podmienky.

20240805153109_20914

Ďalšie bežné zafírové výrobky

Optické produkty

  • Zafírové optické okná

    • Používa sa v laseroch, spektrometroch, infračervených zobrazovacích systémoch a senzorových oknách.

    • Dosah prenosu:UV 150 nm až stredná infračervená oblasť 5,5 μm.

  • Zafírové šošovky

    • Používa sa vo vysokovýkonných laserových systémoch a leteckej optike.

    • Môžu byť vyrobené ako konvexné, konkávne alebo valcové šošovky.

  • Zafírové hranoly

    • Používa sa v optických meracích prístrojoch a presných zobrazovacích systémoch.

u11_ph01
u11_ph02

Letectvo a obrana

  • Zafírové kupoly

    • Chráňte infračervené vyhľadávače v raketách, bezpilotných lietadlách a lietadlách.

  • Zafírové ochranné kryty

    • Odoláva nárazom vysokorýchlostného prúdenia vzduchu a drsnému prostrediu.

17

Balenie produktu

IMG_0775_副本
_cgi-bin_mmwebwx-bin_webwxgetmsgimg__&MsgID=871015041831747236&skey=@crypt_5be9fd73_3c2da10f381656c71b8a6fcc3900aedc&mmweb_appid=wx_webfilehelper

O spoločnosti XINKEHUI

Spoločnosť Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd. je jednou znajväčší dodávateľ optických a polovodičových prvkov v Číne, založená v roku 2002. Spoločnosť XKH bola vyvinutá s cieľom poskytovať akademickým výskumníkom doštičky a iné vedecké materiály a služby súvisiace s polovodičmi. Polovodičové materiály sú našou hlavnou činnosťou, náš tím je založený na technických znalostiach a od svojho založenia sa XKH hlboko venuje výskumu a vývoju pokročilých elektronických materiálov, najmä v oblasti rôznych doštičiek/substrátov.

456789

Partneri

Vďaka svojej vynikajúcej technológii polovodičových materiálov sa spoločnosť Shanghai Zhimingxin stala dôveryhodným partnerom popredných svetových spoločností a známych akademických inštitúcií. Vďaka svojej vytrvalosti v inováciách a excelentnosti si spoločnosť Zhimingxin vybudovala hlboké partnerské vzťahy s lídrami v tomto odvetví, ako sú Schott Glass, Corning a Seoul Semiconductor. Táto spolupráca nielen zlepšila technickú úroveň našich produktov, ale tiež podporila technologický rozvoj v oblastiach výkonovej elektroniky, optoelektronických zariadení a polovodičových zariadení.

Okrem spolupráce so známymi spoločnosťami spoločnosť Zhimingxin nadviazala dlhodobé výskumné partnerstvá aj s poprednými univerzitami po celom svete, ako sú Harvardská univerzita, University College London (UCL) a University of Houston. Prostredníctvom tejto spolupráce spoločnosť Zhimingxin nielen poskytuje technickú podporu pre vedeckovýskumné projekty v akademickej sfére, ale podieľa sa aj na vývoji nových materiálov a technologických inovácií, čím zabezpečuje, že sme vždy v popredí polovodičového priemyslu.

Prostredníctvom úzkej spolupráce s týmito svetoznámymi spoločnosťami a akademickými inštitúciami spoločnosť Shanghai Zhimingxin naďalej podporuje technologické inovácie a rozvoj a poskytuje produkty a riešenia svetovej triedy, ktoré uspokojujú rastúce potreby globálneho trhu.

未命名的设计

  • Predchádzajúce:
  • Ďalej:

  • Napíšte sem svoju správu a pošlite nám ju