3-palcové SiC substráty s priemerom 76,2 mm HPSI Prime Research a Dummy

Vodivý substrát: označuje merný odpor substrátu z karbidu kremíka 15~30mΩ-cm.Epitaxný plátok karbidu kremíka vyrastený z vodivého substrátu karbidu kremíka môže byť ďalej vyrobený na energetické zariadenia, ktoré sa široko používajú v nových energetických vozidlách, fotovoltaike, inteligentných sieťach a železničnej doprave.

Poloizolačný substrát sa vzťahuje na merný odpor vyšší ako 100 000 Ω-cm substrát z karbidu kremíka, ktorý sa používa hlavne pri výrobe mikrovlnných rádiofrekvenčných zariadení z nitridu gália, je základom bezdrôtového komunikačného poľa.

Ide o základný komponent v oblasti bezdrôtovej komunikácie.

Vodivé a poloizolačné substráty z karbidu kremíka sa používajú v širokej škále elektronických zariadení a napájacích zariadení, vrátane, ale nie výlučne, nasledujúcich:

Vysokovýkonné polovodičové zariadenia (vodivé): Substráty z karbidu kremíka majú vysokú prieraznú silu poľa a tepelnú vodivosť a sú vhodné na výrobu vysokovýkonných tranzistorov a diód a iných zariadení.

RF elektronické zariadenia (poloizolované): Substráty z karbidu kremíka majú vysokú rýchlosť spínania a toleranciu výkonu, vhodné pre aplikácie, ako sú RF výkonové zosilňovače, mikrovlnné zariadenia a vysokofrekvenčné spínače.

Optoelektronické zariadenia (poloizolované): Substráty z karbidu kremíka majú širokú energetickú medzeru a vysokú tepelnú stabilitu, vhodné na výrobu fotodiód, solárnych článkov a laserových diód a iných zariadení.

Teplotné senzory (vodivé): Substráty z karbidu kremíka majú vysokú tepelnú vodivosť a tepelnú stabilitu, vhodné na výrobu vysokoteplotných senzorov a prístrojov na meranie teploty.

Výrobný proces a aplikácia vodivých a poloizolačných substrátov z karbidu kremíka má širokú škálu oblastí a potenciálov, ktoré poskytujú nové možnosti pre vývoj elektronických zariadení a energetických zariadení.