Doštička z oxidu kremičitého SiO2 doštička hrubá leštená, základná a testovacia

Oblátka oxidu kremičitého Silná doštička SiO2 leštená, základná a testovacia trieda Odporúčaný obrázok

Stručný opis:

Tepelná oxidácia je výsledkom vystavenia kremíkového plátku kombinácii oxidačných činidiel a tepla, čím sa vytvorí vrstva oxidu kremičitého (SiO2). Naša spoločnosť môže zákazníkom prispôsobiť vločky oxidu kremičitého s rôznymi parametrami, s vynikajúcou kvalitou;hrúbka vrstvy oxidu, kompaktnosť, rovnomernosť a orientácia kryštálov odporu sú všetky implementované v súlade s národnými normami.

Pošlite nám e-mail

Detail produktu

Štítky produktu

Zavedenie krabičky na oblátky

Produkt	Termálne oxidové (Si+SiO2) doštičky
Spôsob výroby	LPCVD
Leštenie povrchu	SSP/DSP
Priemer	2 palce / 3 palce / 4 palce / 5 palcov/ 6 palcov
Typ	Typ P / typ N
Hrúbka oxidačnej vrstvy	100nm ~ 1000nm
Orientácia	<100> <111>
Elektrický odpor	0,001 – 25 000 (Ω•cm)
Aplikácia	Používa sa na nosič vzorky synchrotrónového žiarenia, PVD/CVD povlak ako substrát, rastovú vzorku magnetrónovým naprašovaním, XRD, SEM,Atómová sila, infračervená spektroskopia, fluorescenčná spektroskopia a iné testovacie substráty, substráty pre epitaxný rast molekulových lúčov, röntgenová analýza kryštalických polovodičov

Doštičky z oxidu kremičitého sú filmy oxidu kremičitého, ktoré rastú na povrchu kremíkových doštičiek pomocou kyslíka alebo vodnej pary pri vysokých teplotách (800 °C~1150 °C) pomocou procesu tepelnej oxidácie s rúrovým zariadením pece pri atmosférickom tlaku.Hrúbka procesu sa pohybuje od 50 nanometrov do 2 mikrónov, teplota procesu je až 1100 stupňov Celzia, metóda rastu je rozdelená na dva druhy "mokrý kyslík" a "suchý kyslík".Thermal Oxide je „vypestovaná“ vrstva oxidu, ktorá má vyššiu rovnomernosť, lepšiu hustotu a vyššiu dielektrickú pevnosť ako vrstvy oxidu naneseného pomocou CVD, čo vedie k vynikajúcej kvalite.

Oxidácia suchým kyslíkom

Kremík reaguje s kyslíkom a vrstva oxidu sa neustále posúva smerom k vrstve substrátu.Suchá oxidácia sa musí vykonávať pri teplotách od 850 do 1200 °C s nižšou rýchlosťou rastu a môže sa použiť na rast brán izolovaných MOS.Suchá oxidácia je uprednostňovaná pred mokrou oxidáciou, keď sa vyžaduje vysokokvalitná ultratenká vrstva oxidu kremičitého.Kapacita suchej oxidácie: 15nm~300nm.

2. Mokrá oxidácia

Táto metóda využíva vodnú paru na vytvorenie oxidovej vrstvy vstupom do rúry pece za podmienok vysokej teploty.Zahusťovanie mokrej oxidácie kyslíkom je o niečo horšie ako oxidácia suchým kyslíkom, ale v porovnaní so suchou oxidáciou kyslíkom je jej výhodou vyššia rýchlosť rastu, vhodná pre viac ako 500nm rast filmu.Mokrá oxidačná kapacita: 500nm~2µm.

Rúrka pece AEMD na oxidáciu pri atmosférickom tlaku je česká horizontálna pec, ktorá sa vyznačuje vysokou stabilitou procesu, dobrou rovnomernosťou filmu a vynikajúcou kontrolou častíc.Rúrka pece na báze oxidu kremičitého môže spracovať až 50 plátkov na skúmavku s vynikajúcou jednotnosťou medzi plátkami a plátkami.